一種鎳硅化物的制作方法，將形成鎳硅化物時的傳統(tǒng)兩次退火優(yōu)化為三次退火工藝，通過在柵極外側增加di二側墻，并采用Pt含量相對低的NiPt進行di一次退火，以及去除di二側墻，并采用Pt含量相對高的NiPt進行di二次退火，使得有源區(qū)上硅化物中的Pt分布更接近溝道，且其濃度在水平方向上具有漸變趨勢。
靠近溝道區(qū)域的硅化物中的Pt含量相對較高，使此區(qū)域硅化物更加穩(wěn)定，可改善因piping defect(金屬硅化物的管狀鉆出缺陷)而造成的漏電流；而遠離溝道的硅化物中的Pt濃度相對較低，從而降低了此區(qū)域硅化物的電阻。
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